发明名称 |
基于信息系统的宽范围电源检测装置 |
摘要 |
一种基于信息系统的宽范围电源检测装置,包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管。本发明提供的基于信息系统的宽范围电源检测装置,不受直流供电电压影响、功耗小、负向电源毛刺电压的频率采集范围宽。 |
申请公布号 |
CN105242220A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510630347.9 |
申请日期 |
2015.09.29 |
申请人 |
成都贝发信息技术有限公司 |
发明人 |
崔崇明 |
分类号 |
G01R31/40(2014.01)I |
主分类号 |
G01R31/40(2014.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于信息系统的宽范围电源检测装置,其特征在于,包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管;所述第一电容的一端连接电源正极,所述第一电容的另一端连接所述第一电阻的一端、所述第三电阻的一端以及所述第一PMOS管的栅极,所述第二电容的一端连接电源负极,所述第二电容的另一端连接所述第二电阻的一端、所述第三电阻的另一端以及所述第二PMOS管的栅极,所述第一电阻的另一端适于接收第一偏置电流,所述第二电阻的另一端、所述第二NMOS管的源极、所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极以及所述第五NMOS管的源极接地;所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的栅极,所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的漏极,所述第三PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极并适于接收第二偏置电流,所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的源极、所述第一NMOS管的栅极、所述第三NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的栅极,所述第四NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极以及所述第六PMOS管的栅极,所述第五NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极并适于输出第一检测信号,所述第三PMOS管的源极、所述第四PMOS管的源极、所述第五PMOS管的源极以及所述第六PMOS管的源极适于接收工作电压。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区吉泰五路118号3栋2层5号 |