| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件,包括：鳍片结构，在衬底之上沿第一方向延伸分布，其中鳍片结构的材质与衬底材质不同；源区、沟道区、漏区，在鳍片结构顶部中，沿第一方向延伸分布；栅极堆叠，在沟道区之上沿第二方向延伸分布；栅极侧墙，在栅极堆叠沿第一方向的两侧。依照本发明的半导体器件及其制造方法，从衬底中细微凹槽开始外延生长不同材料的器件鳍片结构，在选择合适的深宽比凹槽中抑制了界面缺陷向上传播，提高了器件的可靠性，并且有效提高了器件的沟道区载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN105244379A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201410328588.3 | 申请日期 | 2014.07.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;崔虎山;殷华湘;李俊峰;朱慧珑;赵超 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件,包括：鳍片结构，在衬底之上沿第一方向延伸分布，其中鳍片结构的材质与衬底材质不同；源区、沟道区、漏区，在鳍片结构顶部中，沿第一方向延伸分布；栅极堆叠，在沟道区之上沿第二方向延伸分布；栅极侧墙，在栅极堆叠沿第一方向的两侧。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||