| 发明名称 | 一种硅化镍后形成工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种硅化镍后形成工艺。根据本发明的一个方面，提供一种在半导体结构中形成硅化镍薄膜的方法，包括：在具有晶体管结构的硅基片上沉积介质层；蚀刻所述介质层，形成所述晶体管结构的源区和漏区的触点开口，所述触点开口暴露出所述硅基片；利用镍盐溶液在所述触点开口中电化学沉积镍薄膜，所述镍盐溶液是碱性的；以及退火处理所沉积的镍薄膜以形成硅化镍薄膜。所述晶体管结构可包括HKMG栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105244317A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201410325210.8 | 申请日期 | 2014.07.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张欣 |
| 主权项 | 一种在半导体结构中形成硅化镍薄膜的方法，包括：a)在具有晶体管结构的硅基片上沉积介质层；b)蚀刻所述介质层，形成所述晶体管结构的源区和漏区的触点开口，所述触点开口暴露出所述硅基片；c)利用镍盐溶液在所述触点开口中电化学沉积镍薄膜，所述镍盐溶液是碱性的；以及d)退火处理所沉积的镍薄膜以形成硅化镍薄膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||