原子层沉积用高浓度水脉冲

摘要

本文提供通过原子层沉积形成含氧薄膜的方法。所述含氧薄膜可以通过将向反应空间中的基板提供浓度较高的水脉冲、较高的反应空间中的水分压及/或较高水流速而沉积。含氧薄膜可以例如用作晶体管、电容器、集成电路及其它半导体应用中的介电氧化物。

主权项

一种通过原子层沉积在反应空间中的基板上形成介电氧化物的方法，其中所述介电氧化物用于半导体组件，所述方法包括沉积周期，所述沉积周期包括：向所述反应空间提供含铪及/或锆的第一反应物的气相反应物脉冲，使得其在所述基板的表面上形成不超过第一反应物单层；自所述反应空间去除过量的所述第一反应物；向所述反应空间提供含水的第二反应物的气相反应物脉冲，使得所述反应空间中的水分压高于500毫托，其中所述第二反应物的所述气相反应物脉冲包括比使所述基板的表面饱和需要的高至少一个数量级的水量；以及自所述反应空间去除过量的所述第二反应物和任何反应副产物，由此形成适合用于半导体组件的沉积的介电氧化物，其中所述沉积的介电氧化物包括所沉积的小于0.5原子百分比的氯。