| 发明名称 | 氮化物类半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法，其包括具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的氮化物类的半导体叠层构造(20)；和在p型半导体区域上设置的电极(30)。p型半导体区域由Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>z</sub>N(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包括Mg层(32)、和在Mg层(32)上形成的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102598320B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201180004465.9 | 申请日期 | 2011.03.15 |
| 申请人 | 松下知识产权经营株式会社 | 发明人 | 横川俊哉;大屋满明;山田笃志;矶崎瑛宏 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种氮化物类半导体元件，其具备：具有p型GaN类半导体区域的氮化物类半导体叠层构造；和在所述p型GaN类半导体区域上设置的电极，所述p型GaN类半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度在2°以上5°以下，所述电极包括与所述p型GaN类半导体区域的所述主面相接触的Mg‑Ag合金层、和在所述Mg‑Ag合金层上形成的Ag层，所述Mg‑Ag合金层中的N浓度低于Ga浓度。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||