一种CMOS基准电流和基准电压产生电路

摘要

本发明公开了一种CMOS基准电流和基准电压产生电路。构建了两个工作于饱和区的MOS管，使流过这两个MOS管的电流相等且由其栅源电压的绝对值之差得到，并利用该电流产生基准电流或基准电压。在这两个MOS管的导电类型相同时，通过调整其尺寸，将其栅源电压的绝对值之差转化为其阈值电压的绝对值之差；在这两个MOS管的导电类型相反时，通过调整其尺寸，使输出的基准电压对温度的导数为0。本发明能有效消除温度对基准电压的影响，从而大幅降低基准电压的温度漂移系数，还能最大限度地降低电源电压和工艺对基准电流和基准电压的影响。此外，本发明是纯CMOS电路，电路的功耗较低，且芯片的面积较传统的带隙基准源明显降低。

主权项

一种CMOS基准电流产生电路，其特征在于，包括第一MOS管、第二MOS管和第一电阻；所述第一MOS管和所述第一电阻连接构成第一电流支路，所述第二MOS管的漏极和栅极连接，构成第二电流支路，所述第一电流支路和所述第二电流支路并联；所述第一MOS管和所述第二MOS管工作在饱和区，流过所述第一电流支路和所述第二电流支路的电流相等且为所述第二MOS管和所述第一MOS管的栅源电压的绝对值之差与所述第一电阻的阻值之比；利用流过所述第一电流支路的电流产生基准电流；其中，所述第一MOS管和所述第二MOS管的导电类型相同时，所述第一MOS管和所述第二MOS管的宽长比相等。