发明名称 |
用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板 |
摘要 |
本发明涉及一种用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板,包括金属基体,并且在所述金属基体上依次形成有耐压陶瓷层和高导热陶瓷层;所述耐压陶瓷层和高导热陶瓷层之间具有活性钎焊层,并通过掩模对所述高导热陶瓷层以及活性钎焊层进行选择性蚀刻形成多个隔离基座;在所述隔离基座上形成有金属电路层。本发明所述的用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板,具有更大尺寸的金属基板,并且可以容纳多个光学和/或电子器件,而且所述的多个光学和/或电子器件之间具有良好的电隔离和热隔离。 |
申请公布号 |
CN103354222B |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201310238613.4 |
申请日期 |
2013.06.17 |
申请人 |
苏州晶品光电科技有限公司 |
发明人 |
高鞠 |
分类号 |
H01L23/15(2006.01)I;H05K3/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板,包括金属基体,其特征在于在所述金属基体上依次形成有耐压陶瓷层和高导热陶瓷层;所述耐压陶瓷层和高导热陶瓷层之间具有活性钎焊层,并且通过掩模对所述高导热陶瓷层以及活性钎焊层进行选择性蚀刻形成多个隔离基座;在所述隔离基座上形成有金属电路层;所述活性钎焊层使用的钎料含有0.5‑0.8wt%的Ag、0.8‑1.0wt%的In、2.1‑2.5wt%的Ti、1.2‑1.5wt%的Si、5.2‑7.2wt%的Sn、2.7‑3.2wt%的Al、0.65‑0.95wt%的Mn、1.8‑2.1wt%的Ni、0.5‑0.7wt%的Ce、0.1‑0.2wt%的B和余量的Cu,所述活性钎焊层使用的钎料通过水雾法制备得到,其制备方法包括以下步骤:(1)将上述配比的粉末原料混合并加热熔化形成合金液,利用压力≥40MPa的雾化水对所述合金液进行冷却粉碎处理,形成合金粉末;(2)对所述合金粉末进行干燥和还原退火处理得到所述的钎料,其中还原退火气氛采用氢气退火,退火温度为250‑300℃,退火时间为20‑30分钟,还原退火后所述钎料中氧含量<2500ppm。 |
地址 |
215211 江苏省苏州市吴江区汾湖镇汾湖大道558号科创园科研二号楼三楼(南) |