| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成硅通孔；在硅通孔中依次形成绝缘层、粘连层和铜导电层；对铜导电层实施预处理，以释放铜导电层内部的应力并使晶粒充分长大；执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明，可以避免形成于硅通孔中的铜导电层在后续实施的工艺过程中发生凸起和层离现象，确保其与互连线的良好接触。 | ||
| 申请公布号 | CN105244311A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201410322525.7 | 申请日期 | 2014.07.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张先明;何作鹏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔中依次形成绝缘层、粘连层和铜导电层；对所述铜导电层实施预处理，以释放所述铜导电层内部的应力并使晶粒充分长大；执行化学机械研磨直至露出所述硅通孔的顶部。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||