发明名称 |
一种Ag-ZSM-5分子筛修饰电极及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种Ag-ZSM-5分子筛修饰电极及其制备方法,包括由玻碳、铜、镍或钛制作的基底电极,其特点是将基底电极置于由铝盐与、氢氧化钠、硝酸银和有机模板剂组成的晶种溶液中,采用高温水热法使银分子与分子筛结合形成的银分子筛膜均匀粘附在电极表面,然后在室温下晾干,制得用于卤代物电化学还原的Ag-ZSM-5分子筛修饰电极,具体制备包括晶种溶液的配制和电极的修饰。本发明与现有技术相比具有与分子大小相当且均匀一致的孔径以及良好的离子交换性能、催化活性和高温热稳定性能,用于卤代物的还原对环境保护具有十分重大的意义,是一种很有应用前景的修饰电极方法。 |
申请公布号 |
CN105239089A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510677755.X |
申请日期 |
2015.10.20 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
王欢;隋国娇;王惠梅;孙奇龙;薛腾;吴迪;陆嘉星 |
分类号 |
C25B3/04(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I;B01J29/44(2006.01)I |
主分类号 |
C25B3/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海蓝迪专利事务所 31215 |
代理人 |
徐筱梅;张翔 |
主权项 |
一种Ag‑ZSM‑5分子筛修饰电极,包括由玻碳、铜、镍或钛制作的基底电极,其特征在于将基底电极置于由铝盐与、氢氧化钠、硝酸银和有机模板剂组成的晶种溶液中,采用高温水热法使银分子与分子筛结合形成的银分子筛膜均匀粘附在电极表面,然后在室温下晾干,制得用于卤代物电化学还原的Ag‑ZSM‑5分子筛修饰电极。 |
地址 |
200241 上海市闵行区东川路500号 |