具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型绝缘层上张应变锗TFET及制备方法

摘要

本发明涉及一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型绝缘层上张应变锗TFET及制备方法，该制备方法包括：制备绝缘层上张应变锗衬底；采用刻蚀工艺形成浅沟槽隔离；在衬底上表面采用光刻工艺形成漏区图形并采用带胶离子注入工艺形成漏区；在衬底上采用刻蚀工艺形成源区沟槽；采用倾斜离子注入工艺向源区沟槽靠近沟道区的侧壁注入离子形成薄层掺杂区；在源区沟槽内淀积锗材料并进行原位掺杂形成源区；在衬底上表面依次形成栅界面层、栅介质层和前栅极层，采用刻蚀工艺形成前栅；在衬底下表面生长背栅极层，采用刻蚀工艺形成背栅；光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成源区、漏区、前栅和背栅的金属引线，最终形成具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型绝缘层上张应变锗TFET。

主权项

一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型绝缘层上张应变锗TFET的制备方法，其特征在于，包括步骤：(a)制备绝缘层上张应变锗衬底；所述衬底从下而上依次包括底层硅层、氧化埋层及顶层张应变锗层；(b)在所述衬底上采用刻蚀工艺形成浅沟槽隔离；(c)在所述衬底上表面采用光刻工艺形成漏区图形并采用带胶离子注入工艺在所述衬底上形成漏区；(d)在所述衬底上采用干法刻蚀工艺形成源区沟槽；(e)采用倾斜离子注入工艺向所述源区沟槽靠近沟道区的侧壁注入离子，形成薄层掺杂区，且所述薄层掺杂区的掺杂类型与所述漏区的掺杂类型相同；(f)在所述源区沟槽内淀积锗材料，并同时进行原位掺杂形成源区，且所述源区的掺杂浓度高于所述漏区的掺杂浓度；(g)在所述衬底上表面依次形成栅界面层、栅介质层和前栅极层，采用干法刻蚀工艺形成前栅；(h)在所述衬底下表面生长背栅极层，采用干法刻蚀工艺形成背栅；以及(i)光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成所述源区、所述漏区、所述前栅和所述背栅的金属引线，最终形成具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型绝缘层上张应变锗TFET。