低应力高精度定位半导体激光单管芯片封装方法

摘要

本发明公开了一种低应力高精度定位半导体激光单管芯片封装方法，用于将单管芯片焊接于热沉基底的上部平面上，依次包括以下步骤：在热沉基底的上部平面的中间位置上放置一刚性结构板，该刚性结构板的向下投影小于该热沉基底的上部平面的向下投影；在该刚性结构板上放置受热能够熔化的应力缓冲层，该应力缓冲层的向下投影重合于该热沉基底的上部平面的向下投影；将该单管芯片放置于该应力缓冲层上；将前述部件整体放入真空回流焊接炉里面进行焊接，待该应力缓冲层熔化后，进行降温固化即可。本发明的优点是：能够保证芯片的位置焊接精度以及保证高功率半导体激光多单管合束的光学精度。

主权项

低应力高精度定位半导体激光单管芯片封装方法，用于将单管芯片焊接于热沉基底的上部平面上，依次包括以下步骤：A、在热沉基底的上部平面的中间位置上放置一刚性结构板，该刚性结构板的向下投影小于该热沉基底的上部平面的向下投影；B、在该刚性结构板上放置受热能够熔化的应力缓冲层，该应力缓冲层的向下投影重合于该热沉基底的上部平面的向下投影；C、将该单管芯片放置于该应力缓冲层上；D、将前述部件整体放入真空回流焊接炉里面进行焊接，待该应力缓冲层熔化后，进行降温固化即可。