发明名称 |
阵列基板的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板的制作方法,属于显示技术领域。所述制作方法包括:形成第一金属层;在第一金属层上形成第一光刻胶图形;在第一金属层上形成第二光刻胶图形,第二光刻胶图形与第一光刻胶图形至少部分交错;在第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的保护下,对第一金属层进行刻蚀,形成位于布线区中的线路。本发明通过分别在第一金属层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形,第二光刻胶图形与第一光刻胶图形至少部分交错,分别形成的第一光刻胶图形和第二光刻胶图形比一次形成的光刻胶图形的图形密度低,采用同样的曝光设备,形成的第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的图形质量较好,避免了形成的布线区引线短路或断路。 |
申请公布号 |
CN105244258A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510696367.6 |
申请日期 |
2015.10.23 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
杨丽娟 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
鞠永善 |
主权项 |
一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区外围的布线区,所述制作方法用于制作位于所述布线区中的线路,其特征在于,所述制作方法包括:形成第一金属层;在所述第一金属层上形成第一光刻胶图形;在所述第一金属层上形成第二光刻胶图形,所述第二光刻胶图形与所述第一光刻胶图形至少部分交错;在所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形的保护下,对所述第一金属层进行刻蚀,形成位于所述布线区中的线路。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |