发明名称 |
光化学反应装置及薄膜 |
摘要 |
根据本实施方式涉及的光化学反应装置,具备:将水进行氧化而生成氧的氧化反应部(309);将二氧化碳进行还原而生成碳化合物的并配置于含有吸收了二氧化碳的胺分子的第1溶液(306)内的还原反应部(310);通过光能进行电荷分离并在所述氧化反应部及所述还原反应部进行电连接的半导体元件(311);以及在所述氧化反应部和所述第1溶液之间形成的并阻碍从所述第1溶液向所述氧化反应部的所述胺分子的透过的薄膜(304)。 |
申请公布号 |
CN105247107A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201480030957.9 |
申请日期 |
2014.03.13 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
黄静君;御子柴智;北川良太;小野昭彦;田村淳;工藤由纪 |
分类号 |
C25B9/00(2006.01)I;B01J35/02(2006.01)I;C01B13/02(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I;C25B3/04(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I |
主分类号 |
C25B9/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
王永红 |
主权项 |
光化学反应装置,其特征在于,具备:将水进行氧化而生成氧的氧化反应部;将二氧化碳进行还原而生成碳化合物的、并被配置于含有吸收了二氧化碳的胺分子的第1溶液内的还原反应部;通过光能进行电荷分离、并在所述氧化反应部及所述还原反应部进行电连接的半导体元件;以及在所述氧化反应部和所述第1溶液之间形成的、并阻碍从所述第1溶液向所述氧化反应部的所述胺分子的透过的薄膜。 |
地址 |
日本东京都 |