具有低导通电阻的栅压自举开关及其衬偏效应消除方法

摘要

本发明涉及集成电路领域，公开了一种具有低导通电阻的栅压自举开关及其衬偏效应消除方法。本发明中，起开关作用的M1的衬底并不直接与其源端短接，而是通过一个控制开关与其源端相连。该控制开关在栅压自举电路处于预充电模式时，处于关断状态；在栅压自举电路处于自举模式时，处于打开状态。因此，当栅压自举电路处于预充电模式时，M1的衬底相当于接地，保证了M1的彻底关断；而当栅压自举电路处于自举模式时，M1的衬底将通过该控制开关与其漏端连通，消除衬偏效应，使得无论输入信号为多少，开关M1的导通电阻都保持不变。

主权项

一种具有低导通电阻的栅压自举开关，其特征在于，包含：作为开关的金属氧化物半导体第一MOS晶体管和第二MOS晶体管、与该第一MOS晶体管相连的栅压自举电路；其中，所述第一MOS晶体管的源极接输入信号，第一MOS晶体管的漏极接所述第二MOS晶体管的源极；第二MOS晶体管的栅极接所述第一MOS晶体管的栅极；所述第二MOS晶体管的漏极作为输出信号输出；所述第一MOS晶体管的衬底与该第一MOS晶体管的源极短接；第二MOS晶体管的衬底与该第二MOS晶体管的漏极短接；所述第一MOS晶体管的源极与所述栅压自举电路中一晶体管(M10)的漏极相连。