发明名称 |
超导带材用双面LaMnO<sub>3</sub>缓冲层的制备方法 |
摘要 |
超导带材用双面LaMnO<sub>3</sub>缓冲层的制备方法,属于超导材料技术领域。包括以下步骤:(1)将柔性基带安装在两个转盘之间;(2)将长400毫米,宽40毫米,厚度5毫米的锰镧合金靶分别安置在对靶上,基带正反面分别与对靶上的锰镧合金靶相对;(3)将生长室抽背底真空至1×10<sup>-3</sup>Pa以下,对基带加热,使温度保持在750℃左右,充入氩气至0.5Pa并维持,再用U型进气管充入1.2×10<sup>-3</sup>到2.5×10<sup>-3</sup>Pa氧气;(4)开启中频电源,在靶材附近形成辉光区域;(5)步进电机带动基带匀速通过辉光区域沉积薄膜;(6)关闭溅射。本发明采用中频溅射和超长对靶结构,提高了薄膜的沉积速率,有利于长带材的快速、连续制备。 |
申请公布号 |
CN103695859B |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201310676482.8 |
申请日期 |
2013.12.11 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
熊杰;黎朝仁;夏钰东;薛炎;赵晓辉;陶伯万;李言荣 |
分类号 |
C23C14/38(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/38(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
李明光 |
主权项 |
一种超导带材用双面LaMnO<sub>3</sub>缓冲层的制备方法,包括以下步骤:(1)将柔性基带(2)安装在第一转盘(1)和第二转盘(8)之间;(2)将长为400毫米,宽为40毫米,厚度为5毫米的锰镧合金靶分别安置在对靶(4)上,其中锰镧合金靶中锰镧原子比为1:1,两个转盘之间的基带正反面分别与对靶(4)上的锰镧合金靶相对;(3)将生长室(9)抽背底真空至1×10<sup>‑3</sup>Pa以下,对基带(2)进行加热,使温度始终保持在750℃,向生长室(9)内充入氩气至0.5Pa并维持,再利用U型进气管充入1.2×10<sup>‑3</sup>到2.5×10<sup>‑3</sup>Pa的氧气作为反应气体;(4)采用中频作为溅射电源,开启中频电源(12),在靶材附近形成等离子轰击金属锰镧合金靶材形成辉光区域;(5)开启步进电机,使基带以25‑50米/小时的速度匀速通过辉光(5)区域沉积LaMnO<sub>3</sub>薄膜;(6)关闭中频电源,停止对基片加热,自然降温即可得到LaMnO<sub>3</sub>薄膜。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |