| 发明名称 | 芯片载体、形成芯片载体的方法和形成芯片封装的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及芯片载体、形成芯片载体的方法和形成芯片封装的方法。各个实施例提供了一种芯片载体，包括：芯片载体表面，被配置为从第一芯片底侧承载第一芯片，其中，所述第一芯片的第一芯片顶侧被配置在所述芯片载体表面上方；以及至少一个空腔，从所述芯片载体表面延伸至所述芯片载体中；其中，所述至少一个空腔被配置为从第二芯片底侧承载第二芯片，其中，所述第二芯片的第二芯片顶侧与所述第一芯片顶侧基本上齐平。所述第二芯片通过空腔内部的电绝缘材料与所述芯片载体电绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN103137569B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201210477399.3 | 申请日期 | 2012.11.22 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | K.侯赛因;J.马勒;A.普吕克尔 |
| 分类号 | H01L23/14(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 谢攀;李浩 |
| 主权项 | 一种芯片载体，包括：芯片载体表面，被配置为从第一芯片底侧承载第一芯片，其中，第一芯片的第一芯片顶侧被配置在芯片载体表面上方；以及至少一个空腔，从芯片载体表面延伸至芯片载体中；其中，所述至少一个空腔被配置为从第二芯片底侧承载第二芯片，其中，第二芯片的第二芯片顶侧与第一芯片顶侧基本上齐平；其中从芯片载体表面延伸至芯片载体中的至少一个空腔的深度大于第二芯片厚度与第一芯片厚度之差。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||