在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法

摘要

本发明涉及用于在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法。一种在半导体装置中形成沟槽的方法包含在半导体层的第一部分上方形成蚀刻剂阻挡层。使用第一蚀刻剂在所述半导体层的第二部分中蚀刻第一沟槽。所述半导体层的所述第二部分未安置于所述蚀刻剂阻挡层下方。使用第二蚀刻剂蚀刻穿透所述蚀刻剂阻挡层，所述第二蚀刻剂不会实质上蚀刻所述半导体层。使用第三蚀刻剂在所述半导体层的所述第一部分中蚀刻第二沟槽。所述第三蚀刻剂还延伸所述第一沟槽的深度。

主权项

一种在图像传感器的半导体层中形成沟槽的方法，所述方法包括：在晶片的所述半导体层上形成第一材料的第一层；在所述第一层的第一部分上形成第二材料的第二层，其中所述第二材料是氧化物；通过将所述晶片暴露于第一蚀刻剂而形成穿过所述第一层的第一开口，所述第一蚀刻剂蚀刻所述第一材料但不会实质上蚀刻所述第二材料；通过将所述晶片暴露于第二蚀刻剂而将所述第一开口延伸到所述半导体层中以形成第一沟槽，其中所述第一开口和所述第一沟槽都没有延伸穿过所述第二层；通过将所述晶片暴露于第三蚀刻剂而形成穿过所述第二层的第二开口，所述第三蚀刻剂不会实质上蚀刻所述半导体层，其中，在暴露于形成所述第二开口的所述第三蚀刻剂之前，将所述晶片暴露于延伸所述第一开口的所述第二蚀刻剂中，所述第三蚀刻剂是湿法蚀刻剂；通过将所述晶片暴露于第四蚀刻剂而延伸所述第二开口，所述第四蚀刻剂蚀刻所述第一层但不会实质上蚀刻所述半导体层；以及通过将所述晶片暴露于第五蚀刻剂而延伸所述第一沟槽且在所述半导体层中在所述第二开口下方形成第二沟槽。