发明名称 曝光掩膜的制造方法
摘要 提供曝光掩模的制造方法,该曝光掩模的制造方法与现有的方法相比,能够以简单的工序廉价地制造曝光掩模。该曝光掩模的制造方法是晶片加工用的曝光掩模的制造方法,该曝光掩模的制造方法具备如下工序:准备工序,准备遮光板(25),其在透光并具有要加工的晶片(11)以上的大小的板状部件(21)的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜(23);槽形成工序,在与晶片的间隔道(17)相对应的遮光板的正面侧的区域形成去除遮光膜并且深度未达到遮光板的背面的槽(27);以及树脂埋设工序,在槽中埋设透明的树脂(31)而填埋在槽形成工序中形成于槽的底部(27a)的凹凸。
申请公布号 CN105242491A 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201510390436.0 申请日期 2015.07.06
申请人 株式会社迪思科 发明人 松崎荣
分类号 G03F1/68(2012.01)I 主分类号 G03F1/68(2012.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;黄纶伟
主权项 一种曝光掩模的制造方法,是晶片加工用的曝光掩模的制造方法,其特征在于,该曝光掩模的制造方法具备:准备工序,准备遮光板,该遮光板在板状部件的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜,所述板状部件透光并具有要加工的晶片以上的大小;槽形成工序,在与该晶片的间隔道相对应的该遮光板的正面侧的区域,形成去除该遮光膜且深度未达到该遮光板的背面的槽;以及树脂埋设工序,将透明的树脂埋设于该槽来填埋在该槽形成工序中形成于该槽的底部的凹凸。
地址 日本东京都
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