具有偏移抵消并且使用绝缘体上技术实现的的差分横向磁场传感器系统

摘要

提供了一种差分磁场传感器系统(10)，其中实现了对在彼此相邻布置的磁场传感器中的差分半导体结构的偏移抵消。所述系统(10)包括第一、第二和第三磁场传感器(100，200，300)，其中每个磁场传感器都布置为实质相同，并包括优选性的绝缘体上硅(SOI)表面层部分(102)，提供作为在优选性的SOI晶片上的表面部分；以及表面(104)。在表面(104)上布置有：发射极结构(110，210，310)，形成为与基本垂直于所述表面(104，204，304)的对称平面(106，206，306)基本镜面对称；第一和第二集电极结构(116，216，316；118，218，318)，其中每个都布置为远离发射极结构(110，210，310)，并布置在对称平面(106，206，306)的相对侧上，以便基本上成为彼此的镜像。

主权项

一种差分磁场传感器系统(10)，包括：第一、第二和第三磁场传感器(100，200，300)，每个磁场传感器都布置为实质上相同，并且包括优选性的绝缘体上硅(SOI)表面层部分(102)，所述绝缘体上硅表面层部分被提供作为在优选性的SOI晶片上的表面部分并且具有表面(104)，在所述表面上和/或在所述表面布置有：中央发射极结构(110，210，310)，形成为相对于与实质垂直于所述表面(104，204，304)的对称平面(106，206，306)实质镜面对称；第一和第二集电极结构(116，216，316；118，218，318)，每个均布置为远离发射极结构(110，210，310)，并布置在对称平面(106，206，306)的相对侧上，以便实质上成为彼此的镜像，其中：所述第一磁场传感器(100)是双侧操作的，其中所述第一磁场传感器的第一集电极结构(116)和发射极结构(110)经由第一读出电路外部相连，并且所述第一磁场传感器的第二集电极结构(118)和发射极结构(110)经由第二读出电路外部相连；所述第二磁场传感器(200)是单侧操作的，其中所述第二磁场传感器的第一集电极结构(216)和发射极结构(210)经由第三读出电路外部相连；以及所述第三磁场传感器(300)是单侧操作的，其中所述第三磁场传感器的第二集电极结构(318)和发射极结构(310)经由第四读出电路外部相连。