一种太阳能电池制备方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池制备方法。它具体有如下步骤：1）将制绒后的硅片表面制作发射极；2）将步骤1所得硅片采用HF酸溶液进行磷硅玻璃去除；3）将步骤2所得硅片表面制作二氧化硅层；4）将步骤3所得硅片再依次采用周边刻蚀、沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。可以有效的提高扩散方阻的均匀性，提高少数载流子寿命；另外，氧化硅的钝化作用减少了硅悬空键，减少表面态，可使短路电流密度提高0.1-1mA/cm²，开路电压提高3-10mV，转化效率提高0.1-0.5%；制作氧化硅后再进行边缘刻蚀可以有效的减少边缘漏电，提高电池的并联电阻。

主权项

一种太阳能电池制备方法，步骤包括：（1）将制绒后的硅片表面制作结深为0.1‑0.3微米的发射极，方阻为50‑90ohm/sq；发射极制作过程为将硅片置入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，保持温度750‑850℃，时间为10‑30min；将扩散炉温度升至800‑900℃，温度稳定后，扩散结推进5‑30min；（2）将步骤1所得硅片置于盛有1~10%氢氟酸中，反应时间30~100s，除去硅片表面上的磷硅玻璃；（3）将步骤2所得硅片表面制作一层1‑10nm的二氧化硅层，具体为将硅片置入氧化炉中，同时通入大氮、氧气，保持温度800‑900℃，时间为5‑10min；（4）将步骤3所得硅片再依次采用周边刻蚀、沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结；氮化硅膜的厚度为60‑90nm，折射率为2.05‑2.15；所述的硅片为单晶硅或者准单晶硅。