一种选择性发射极电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法，包括步骤：1)去除硅片的损伤层，在硅片的表面制备绒面；2)对损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂；3)对经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散，得到正面正电极区以外区域的p-n结；4)去除经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p-n结；5)在经过去除表面PSG及周边p-n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；6)在具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极，背电场和正电极，并进行烧结，使电极金属化，得到选择性发射极电池；7)测试选择性发射极电池的各项参数，并按工艺标准将其分档。本方法，有效提高太阳能电池的转换效率，并能方便应用于生产中。

主权项

一种选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，包括步骤：1)去除硅片的损伤层，在硅片的表面制备绒面；2)对所述损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行均匀喷涂磷源及激光掺杂，通过激光能量，对所述硅片表面进行选择性深掺杂；3)对所述经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散，得到正面正电极区以外区域的p‑n结，形成高低结；4)去除所述经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p‑n结；5)在经过去除表面PSG及周边p‑n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；6)在所述具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极，背电场和正电极，并进行烧结，使电极金属化，得到选择性发射极电池；7)测试所述选择性发射极电池的各项参数，并按工艺标准将其分档。