发明名称 一种Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiC泡沫陶瓷及其制备方法
摘要 一种Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiC泡沫陶瓷及其制备方法。其技术方案是:将60~85wt%的α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、5~15wt%的碳源和10~30wt%的单质硅混合,制得混合料。将100份质量的所述混合料、0.5~2份质量的木质素磺酸铵和0.1~0.6份质量的聚羧酸盐混合,再与20~30份或30~40份质量的水一起搅拌,制得浆体Ⅰ或浆体Ⅱ。将聚氨酯海绵浸入到浆体Ⅰ中,浸渍后挤压或甩浆,干燥,得到预处理的泡沫陶瓷坯体;再用浆体Ⅱ进行喷涂,干燥,得到泡沫陶瓷坯体。将所述泡沫陶瓷坯体置入高温炉内,于埋炭气氛下,依次以1.5~2.5℃/min、0.5~1℃/min和2.5~3.5℃/min的速率升温至1300~1500℃,保温2.5~3.5h,即得Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiC泡沫陶瓷。本发明制备的制品强度高、抗氧化性能好和抗热震性能优良。
申请公布号 CN104402517B 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201410584404.X 申请日期 2014.10.27
申请人 武汉科技大学 发明人 李亚伟;梁雄;桑绍柏
分类号 C04B38/08(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B38/08(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 张火春
主权项 一种Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑SiC泡沫陶瓷的制备方法,其特征在于所述制备方法的步骤是:步骤一、将60~85wt%的α‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、5~15wt%的碳源和10~30wt%的单质硅混合,制得混合料;步骤二、先将100份质量的所述混合料、0.5~2份质量的木质素磺酸铵、0.1~0.6份质量的聚羧酸盐和20~30份质量的水放入搅拌器中,搅拌20~30min,制得浆体Ⅰ;再将100份质量的所述混合料、0.5~2份质量的木质素磺酸铵、0.1~0.6份质量的聚羧酸盐和30~40份质量的水放入搅拌器中,搅拌20~30min,制得浆体Ⅱ;步骤三、将聚氨酯海绵浸入到浆体Ⅰ中,浸渍后挤压或甩浆,经90~110℃干燥12~24h,得到预处理的泡沫陶瓷坯体;再用浆体Ⅱ对预处理的泡沫陶瓷坯体进行喷涂,喷涂流量为3~5L/min,喷涂时间为5~30min,然后在90~110℃下干燥12~24h,得到泡沫陶瓷坯体;步骤四、将所述泡沫陶瓷坯体置入高温炉内,于埋炭气氛下,以1.5~2.5℃/min的速率升温至200℃,再以0.5~1℃/min的速率升温至700℃,然后以2.5~3.5℃/min的速率升温至1300~1500℃,保温2.5~3.5h,再随炉冷却至室温,即得Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑SiC泡沫陶瓷。
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