发明名称 含辅助加料结构的单晶炉及其应用
摘要 本发明提供一种含有辅助加料结构的单晶炉及其应用,其特征在于该单晶硅生长炉内部装有辅助加料结构,该辅助加料结构带有独立的称重装置,可在辅助加料的同时,实时监控辅助原料的加入量,从而能实现单晶硅掺杂浓度的精确控制,有利于稳定单晶硅轴向电阻率,以及满足特殊掺杂需求单晶硅晶锭生长。
申请公布号 CN105239153A 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201510573384.0 申请日期 2015.09.10
申请人 上海超硅半导体有限公司 发明人 李秦霖;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛
分类号 C30B15/04(2006.01)I 主分类号 C30B15/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种含辅助加料结构的单晶炉,其特征在于在上部热屏之上设有由气缸、导轨、称重传感器、称重传感器固定支座、辅料夹具、称重称重杠杆组成的辅助加料结构。
地址 201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号