| 发明名称 | 一种制备CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>二维晶体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>二维晶体的方法。本发明使用酸溶液剥离CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>三维晶体，制备得到CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>二维晶体；具体是将CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>晶体加入酸溶液中，水浴中超声处理，然后静置；取上层清液，进行离心处理，再用去离子水清洗，得到二维层状CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>晶体。本发明的制备方法具有简单、高效、成本低、利于大规模制备的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN105236430A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510515333.2 | 申请日期 | 2015.08.20 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 郭强兵;刘小峰;邱建荣 |
| 分类号 | C01B33/20(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 林超 |
| 主权项 | 一种制备CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>二维晶体的方法，其特征是：使用酸溶液剥离CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>三维晶体，制备得到CaCuSi<sub>4</sub>O<sub>10</sub>二维晶体。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||