一种半导体激光器

摘要

本实用新型公开一种采用新型金属键合方法制备的半导体激光器，具有可靠性、缺陷少的优点，通过施加热加压保压使得半导体激光器芯片上的金属键合媒介层与散热器表面的关键层形成合金相结构，达到半导体激光器芯片和散热器结合紧密的目的，降低了空洞等缺陷，在进行金属键合时，需求温度低于关键层材料熔点以下，可以降低由于散热器与半导体激光器芯片热膨胀系数不匹配导致的较大热应力。

主权项

一种半导体激光器，其特征在于：包括半导体激光器芯片和散热器，还包括第一金属键合媒介层、第二金属键合媒介层及关键层，所述的第一金属键合媒介层设置在散热器表面，第一金属键合媒介层依次为镍、金、钛、铂和金，所述的第二金属键合媒介层设置在半导体激光器芯片表面，第二金属键合媒介层依次为钛、铂、金，所述的关键层设置在散热器的第一金属媒介层表面，所述的半导体激光器芯片和散热器通过关键层键合为整体，且半导体激光器芯片的正极面与散热器的关键层表面相贴合，所述的半导体激光器芯片的负极面设置有负电极连接片。