发明名称 |
一种基于一次可编程查找表的标准单元逻辑电路 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种基于一次可编程查找表的标准单元逻辑电路,包括:基于反熔丝的存储单元阵列、状态放大和编程控制逻辑电路;其中,若所述标准单元逻辑电路有2<sup>n</sup>个输入的字线使能信号WL,有m个输入的位线使能信号BLS,则所述存储单元阵列为2<sup>n</sup>行m列的存储单元阵列,所述状态放大和编程控制逻辑电路为m个,且每个状态放大和编程控制逻辑电路与所述每个状态放大和编程控制逻辑电路相对应的一列存储单元均相连。本实施例中的存储单元阵列为基于反熔丝的存储单元阵列,反熔丝电路在编程之后不具有可逆性,且只能编程一次,能保障芯片的核心逻辑不受木马电路的干扰或破坏,保证核心私密数据的安全存储,不被后门电路窃取。 |
申请公布号 |
CN105243342A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510645956.1 |
申请日期 |
2015.10.08 |
申请人 |
浪潮(北京)电子信息产业有限公司 |
发明人 |
童元满 |
分类号 |
G06F21/76(2013.01)I |
主分类号 |
G06F21/76(2013.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
罗满 |
主权项 |
一种基于一次可编程查找表的标准单元逻辑电路,其特征在于,包括:基于反熔丝的存储单元阵列、状态放大和编程控制逻辑电路;其中,若所述标准单元逻辑电路有2<sup>n</sup>个输入的字线使能信号WL,有m个输入的位线使能信号BLS,则所述存储单元阵列为2<sup>n</sup>行m列的存储单元阵列,所述状态放大和编程控制逻辑电路为m个,且每个状态放大和编程控制逻辑电路与所述每个状态放大和编程控制逻辑电路相对应的一列存储单元均相连。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地信息路2号2-1号C栋1层 |