| 发明名称 | 用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料 | ||
| 摘要 | 一种用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料，结构式为Ga<sub>2-2x</sub>Al<sub>2x</sub>O<sub>3</sub>，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0-50％，及其制备方法。本发明保持了原有的氧化镓晶体结构，形成混晶，晶体具有很高的光学质量，无开裂，散射颗粒，气泡等缺陷，颜色均匀；通过掺杂，晶体的紫外吸收截止边延伸到210-255nm，是一种非常优良的深紫外衬底材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105239162A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510524713.2 | 申请日期 | 2015.08.25 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 夏长泰;赛青林;肖海林 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B13/00(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张泽纯;张宁展 |
| 主权项 | 一种用于宽禁带半导体的氧化铝‑氧化镓混晶材料，其特征在于：其结构式为Ga<sub>2‑2x</sub>Al<sub>2x</sub>O<sub>3</sub>，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0‑50％。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区上海市800－211邮政信箱 | ||