| 发明名称 | 通过执行三包工艺形成半导体装置的沟道区的方法 | ||
| 摘要 | 本申请揭示通过执行三包工艺形成半导体装置的沟道区的方法。其中一种示例方法包括：除其它以外，形成定义鳍片的多个沟槽；执行多个外延沉积工艺，以围绕该鳍片的暴露部分形成第一、第二以及第三外延半导体材料层；自该鳍片的上表面上方移除该第一、第二以及第三外延半导体材料层，从而暴露该鳍片；相对该第一、第二以及第三外延半导体材料层选择性移除该鳍片，从而定义由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的两个鳍片结构；以及围绕由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的该鳍片结构的至少其中一个的部分形成栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105244280A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510382734.5 | 申请日期 | 2015.07.02 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | B·J·帕夫拉克;本塔旭·本汉艾影;M·萨曼尼杰拉德 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在半导体衬底中形成多个沟槽，以定义鳍片；执行多个外延沉积工艺，以围绕该鳍片的暴露部分形成第一、第二以及第三外延半导体材料层；执行至少一个工艺操作，以自该鳍片的上表面上方移除该第一、第二以及第三外延半导体材料层，从而暴露该鳍片；执行蚀刻工艺，以相对该第一、第二以及第三外延半导体材料层选择性移除该鳍片，从而定义由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的两个鳍片结构；以及围绕由该第一、第二以及第三外延半导体材料层组成的该鳍片结构的至少其中一个的部分形成栅极结构。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||