一种银硅共晶焊接芯片的方法

摘要

本发明涉及一种银硅共晶焊接芯片的方法，该方法无需采用焊片进行导体器件的焊接方法，属于芯片焊接技术领域。将待焊接芯片的一侧进行金属化处理；将载体的一侧进行金属化处理；将待焊接芯片叠放在载体上，给待焊接芯片表面施加配重，然后放入高温炉中；将高温炉升高至合适温度，并保持一定时间后降温至室温，完成焊接。本发明的方法采用银硅共晶焊接可以将工艺温度提高至890～970℃，为后续的高温操作提供了大的工艺窗口；焊接时，不放置焊片，利用芯片与载体的金属结构进行焊接，有效的控制了焊料的融化范围。

主权项

一种银硅共晶焊接芯片的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：1)将待焊接芯片的一侧进行金属化处理；2)将载体的一侧进行金属化处理；3)将待焊接芯片叠放在载体上，即将待焊接芯片与载体金属化处理后的两个面接触在一起；然后给待焊接芯片表面施加配重，最后放入高温炉中；4)将高温炉升高至890～970℃，并保持5～8min后降温至室温，完成焊接；步骤1)中金属化处理：是指生长金属层，金属层为三层：第一层为钛，厚度为1500～2000埃米；第二层为镍，厚度为2000～3000埃米；第三层为银，厚度为50000～80000埃米；生长金属层的方法采用溅射或蒸发的方法；步骤2)中金属化处理：是指生长金属层，金属层为两层：第一层为镍，厚度为3000～8000埃米；第二层为银，厚度为70000～100000埃米；生长金属层的方法采用溅射、蒸发、电镀或者化学镀的方法；步骤3)施加配重：根据待焊接芯片面积大小决定，按照每平方毫米的待焊接芯片面积施加配重的质量为0.5～1.2g。