发明名称 |
通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法 |
摘要 |
在非易失性存储器中的数据错误不可避免地随使用和每个单元存储的位的更高密度而增加。存储器被配置为具有以较少错误操作但具有较低密度存储的第一部分以及以更高密度操作但更不强健存储的第二部分。输入数据在被复制到第二部分之前被写入并阶段性存储在第一部分中。错误管理提供针对过量错误位来检查复制的数据的质量。在第二部分中的不同位置上重复该复制和检查,直到满足了预定质量或重复的次数超过预定限制。当存储器是新的而有很少或没有错误时不开始错误管理,而在存储器已老化到由其经历的擦除/编程循环的数量而确定的预定量之后开始。 |
申请公布号 |
CN102667945B |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201080049027.X |
申请日期 |
2010.10.22 |
申请人 |
桑迪士克科技股份有限公司 |
发明人 |
G.A.杜西加;陈健;C.阿维拉;J.黄;L.M.加文斯 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种操作非易失性存储器的方法,包括:提供用于校正当非易失性存储器通过使用而老化时易于产生的错误的错误校正管理;提供通过非易失性存储器经历的编程/擦除循环的数量对非易失性存储器的年龄的测量;仅当非易失性存储器达到了预定年龄时才开始所述错误校正管理;并且所述方法还包括:将所述存储器配置为第一和第二部分,第一部分具有以比第二部分更少的错误率但更低密度的存储来操作的存储器单元;将输入数据编程到第一部分中;随后,复制该数据以在第二部分中创建副本;以及其中,错误校正管理还包括:(a)检查所述副本的错误;(b)取决于错误是否少于预定数量的错误位,将所述副本标识为有效或无效数据;(c)当所述副本被标识为无效时,重复复制到第二部分中的另一位置,且重复步骤(a)到(c)达预定次数。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |