发明名称 Method for forming a graphene layer on the surface of a substrate including a silicon layer
摘要 본 발명은 규소층(101)을 포함하는 기판(100)의 표면 위에 그래핀층(105)을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 상기 규소층의 자유 표면 위에 탄화규소 막(103)을 형성하는 단계(1) 및 상기 탄화규소 막의 원자들의 적어도 제1 어레이의 상기 규소가 승화될 때까지 상기 기판을 점진적으로 가열하여, 상기 탄화규소 막 위에 그래핀층을 형성하는 단계를 차례로 포함한다. 본 발명에 따르면, 단차형인 자유 표면을 갖는 규소층이 사용된다.
申请公布号 KR101585194(B1) 申请公布日期 2016.01.13
申请号 KR20147009903 申请日期 2012.09.28
申请人 쌍뜨르 나시오날 드 라 르셰르쉬 시앙띠피끄 发明人 외르기 아브델카림
分类号 C01B31/04 主分类号 C01B31/04
代理机构 代理人
主权项
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