| 发明名称 | 在Si基上制备InP基HEMT的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO<sub>2</sub>层；步骤S2：刻蚀所述SiO<sub>2</sub>层，以在该SiO<sub>2</sub>层上形成多个沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3：采用低压MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长第一InP缓冲层、掺Fe的InP半绝缘层、第二InP缓冲层、GaInAs沟道层、AlInAs隔离层、掺杂Si的AlInAs供应层、势垒层、掺杂Si的GaInAs接触层；步骤S4：在所述掺杂Si的GaInAs接触层上制作源极、漏极和栅极。本发明通过改变生长原料，降低生长温度，优化生长速率，减少了异质界面的缺陷，提高了外延层的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103137477B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201310061105.3 | 申请日期 | 2013.02.27 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李士颜;周旭亮;于鸿艳;李梦珂;米俊萍;潘教青 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：在硅衬底上生长SiO<sub>2</sub>层；步骤S2：刻蚀所述SiO<sub>2</sub>层，以在该SiO<sub>2</sub>层上形成多个沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3：采用低压MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长第一InP缓冲层、掺Fe的InP半绝缘层、第二InP缓冲层、GaInAs沟道层、AlInAs隔离层、掺杂Si的AlInAs供应层、势垒层、掺杂Si的GaInAs接触层，所述低压MOCVD工艺控制反应室生长压力为70～120mBar；步骤S4：在所述掺杂Si的GaInAs接触层上制作源极、漏极和栅极。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||