发明名称 |
使用不对称的自由层且适用于自旋转移矩存储器的磁性结 |
摘要 |
描述了一种可用于磁性器件中的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层、不对称的自由层以及垂直磁各向异性(PMA)诱导层。非磁性间隔层在被钉扎层与自由层之间。自由层在非磁性间隔层与PMA诱导层之间。不对称的自由层包括具有第一硼含量的第一铁磁层和具有第二硼含量的第二铁磁层。第二硼含量小于第一硼含量。第一硼含量和第二硼含量每个大于零原子百分比。该磁性结被配置为使得在写电流通过该磁性结时自由层在多个稳定的磁态之间可切换。 |
申请公布号 |
CN105244436A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510388393.2 |
申请日期 |
2015.07.03 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李将银;唐学体 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
屈玉华 |
主权项 |
一种用于磁性器件中的磁性结,包括:被钉扎层;非磁性间隔层;不对称的自由层,所述非磁性间隔层位于所述被钉扎层与所述不对称的自由层之间,所述不对称的自由层包括具有第一硼含量的第一铁磁层和具有第二硼含量的第二铁磁层,所述第二硼含量小于所述第一硼含量,所述第一硼含量和所述第二硼含量大于零原子百分比;以及垂直磁各向异性(PMA)诱导层,所述自由层在所述垂直磁各向异性诱导层与所述不对称的自由层之间;其中所述磁性结配置为使得在写电流通过所述磁性结时所述不对称的自由层在多个稳定的磁态之间可切换。 |
地址 |
韩国京畿道 |