| 摘要 |
<p>단위 화소 내에서 포토다이오드의 면적을 증가시키고 포토다이오드의 수광 면적을 확대할 수 있는 구조를 갖는 CMOS 이미지 센서가 개시된다. 개시된 CMOS 이미지 센서는 포토다이오드 위에 트랜스퍼 트랜지스터가 형성되고, 나머지 리셋 트랜지스터, 소스 팔로우어 트랜지스터 및 선택 트랜지스터는 다른 층에 형성된다. 이러한 구성을 갖는 CMOS 이미지 센서의 경우, 단위 화소 내에서 포토다이오드의 면적을 넓혔기 때문에, 단위 화소의 크기를 감소시키는 동시에 화소의 감도를 향상시킬 수 있다.</p> |
