等离子体处理装置

摘要

一种等离子体处理装置，包括处理腔，所述处理腔包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁以及形成于所述顶壁与底壁之间的侧壁，所述处理腔的腔壁上设置有进气装置，所述侧壁上形成有排气口，所述处理腔内包括一工艺区域，所述工艺区域和所述排气口之间设置有排气装置，所述排气装置至少包括第一排气装置和第二排气装置；所述第一排气装置用于将等离子体限制在所述工艺区域；所述第二排气装置用于改变工艺区域的气体分布。本发明等离子体处理装置可以提高气体分布的均匀性。

主权项

一种等离子体处理装置，包括处理腔，所述处理腔包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁以及形成于所述顶壁与底壁之间的侧壁，所述处理腔的顶壁上设置有进气装置，所述处理腔中相对的一对侧壁上形成有排气口，所述处理腔内包括一工艺区域，所述工艺区域和所述排气口之间设置有排气装置，其特征在于，所述排气装置至少包括第一排气装置和第二排气装置；所述排气装置平行于所述侧壁设置；所述第一排气装置用于将等离子体限制在所述工艺区域；所述第二排气装置用于改变工艺区域的气体分布；其中，所述第一排气装置靠近所述工艺区域设置，所述第二排气装置靠近含有排气口的侧壁设置；其中，所述第一排气装置包括第一排气板，所述第一排气板上设置有多个第一开孔；其中，包绕所述第一开孔的最小圆直径不大于2mm；或，所述第一开孔为宽度不大于2mm的窄长狭孔；其中，所述第二排气装置包括第二排气板，所述第二排气板上设置有第二开孔；靠近所述排气口的第二开孔之间的间距大于远离所述排气口的第二开孔之间的间距，或靠近所述排气口的第二开孔的孔径小于远离所述排气口的第二开孔的孔径。