供各向同性铜蚀刻的蚀刻调配物

摘要

一种供各向同性蚀刻铜的调配物包括包含以下各物的水溶液：(a)二齿、三齿或四齿络合剂，其选自由二胺、三胺和四胺组成的群组；和(b)氧化剂，其中所述溶液的pH值介于约5与12之间。在一个实施例中，所述蚀刻溶液包含乙二胺(EDA)和过氧化氢，pH值介于约6与10之间。所提供的溶液能在不导致铜层表面实质粗糙化的情况下高速(例如，至少约1,000埃/分钟)蚀刻铜。所述调配物尤其适用于从部分制成的半导体装置去除铜，例如蚀刻铜覆盖层。

主权项

一种湿法蚀刻调配物，其包含水溶液，所述蚀刻调配物包含：(a)二齿、三齿或四齿络合剂，其选自由二胺、三胺和四胺组成的群组；和(b)氧化剂，其中所述蚀刻调配物的pH值介于7与10.5之间，并且其中所述蚀刻调配物能够各向同性蚀刻铜，以致所蚀刻铜表面的反射率每1,000埃所蚀刻铜降低不超过15％，其中所述湿法蚀刻调配物实质上不含单齿配体和具有超过4个齿的配位体。