| 发明名称 | 纳米结构在基底上的可控生长以及基于此的电子发射器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。 | ||
| 申请公布号 | CN102709132B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201210080490.1 | 申请日期 | 2006.04.25 |
| 申请人 | 斯莫特克有限公司 | 发明人 | 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01J3/02(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;D01F9/127(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种纳米结构组件，包括：导电基底；催化剂层；从所述催化剂层生长的纳米结构；以及位于所述导电基底和所述催化剂层之间的多个中间层，所述多个中间层包括至少一个影响纳米结构形态的层和至少一个影响导电基底和纳米结构之间界面的电学性质的层。 | ||
| 地址 | 瑞典哥德堡 | ||