| 发明名称 | 一种逆导IGBT的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种逆导IGBT的制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了传统的制备方法工艺难度大，生产效率低的技术问题。该方法包括：形成位于衬底内的第一导电类型的缓冲层、位于所述衬底背面的掺有第二导电类型离子的第一电介质层图形和覆盖在所述第一电介质层图形上的掺有第一导电类型离子的第二电介质层；在所述衬底正面形成所述逆导IGBT正面结构，形成所述正面结构的过程中包括：热处理过程，所述热处理过程使得所述缓冲层在所述衬底中完成推进，所述第一电介质层图形中的第二导电类型离子扩散入所述衬底中形成第二导电类型区域，所述第二电介质层中的第一导电类型离子扩散入所述衬底中形成第一导电类型区域；在所述衬底背面形成金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN105244273A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510741226.1 | 申请日期 | 2015.11.04 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 罗海辉;肖海波 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 张文娟;朱绘 |
| 主权项 | 一种逆导IGBT的制备方法，其特征在于，包括：形成位于衬底内的第一导电类型的缓冲层、位于所述衬底背面的掺有第二导电类型离子的第一电介质层图形和覆盖在所述第一电介质层图形上的掺有第一导电类型离子的第二电介质层；在所述衬底正面形成所述逆导IGBT正面结构，形成所述正面结构的过程中包括：热处理过程，所述热处理过程使得所述缓冲层在所述衬底中完成推进，所述第一电介质层图形中的第二导电类型离子扩散入所述衬底中形成第二导电类型区域，所述第二电介质层中的第一导电类型离子扩散入所述衬底中形成第一导电类型区域；在所述衬底背面形成金属层。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||