| 发明名称 | 一种金属等离子体源及其应用 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶和电子阻挡屏极，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺设于外壳的中空的内腔中，且不与外壳导通，电子阻挡屏极由导电材料制备，同样设置于外壳的中空内腔中，并且电子阻挡屏极为片状，垂直安装于磁控靶的两端；电子阻挡屏极与磁控靶导通，或者电子阻挡屏极与磁控靶不导通，电子阻挡屏极单独连接负电压。本申请的金属等离子体源，在磁控靶两端增加电子阻挡屏极，将逃逸的电子反射回金属等离子体源内部，起到降低放电起辉条件目的；反射的电子增强了溅射粒子碰撞，增强其离化率，增加了靶材表面电子分布的均匀性，提高了靶材溅射均匀性，进而提高靶材利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN105239048A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510650195.9 | 申请日期 | 2015.10.09 |
| 申请人 | 北京大学深圳研究生院 | 发明人 | 吴忠振;肖舒;崔岁寒;马正永;林海;潘锋 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 主权项 | 一种金属等离子体源，包括外壳(11)和磁控靶(12)，所述外壳(11)呈中空的圆柱筒状，所述磁控靶(12)铺设于外壳(11)的中空的内腔中，且不与外壳(11)导通，其特征在于：还包括由导电材料制备的电子阻挡屏极(13)，所述电子阻挡屏极(13)为片状，同样设置于外壳(11)的中空的内腔中，并且电子阻挡屏极(13)垂直安装于所述磁控靶(12)的两端；所述电子阻挡屏极(13)与所述磁控靶(12)导通，或者所述电子阻挡屏极(13)与所述磁控靶(12)不导通，电子阻挡屏极(13)单独连接负电压。 | ||
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区 | ||