含定向扩散结的肖特基器件

摘要

含定向扩散结的肖特基器件。P型岛区将占用15%以上的肖特基势垒区面积，影响JBS肖特基器件的参数性能，现在很多芯片加工厂，不能制作出性能优良的JBS肖特基器件。本实用新型组成包括：硅单晶基片（1），所述的硅单晶基片上具有外延层（2），所述的外延层上设置有肖特基势垒区（3），所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区（4）配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层（8），所述的阳极金属层两侧设置有金属场板（6），所述的阳极金属层两侧与厚氧化层（7）连接，所述的厚氧化层下部装有P+环（5），所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层（9）。本实用新型用于制造含定向扩散结的肖特基器件。

主权项

一种含定向扩散结的肖特基器件，其组成包括：硅单晶基片，其特征是：所述的硅单晶基片上具有外延层，所述的外延层上设置有肖特基势垒区，所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层，所述的阳极金属层两侧设置有金属场板，所述的阳极金属层两侧与厚氧化层连接，所述的厚氧化层下部装有P+环，所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层。