| 发明名称 | 包角晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种包角晶体管及其制造方法，该制造方法包括在衬底中形成隔离结构，定义出有源区。之后，进行处理工艺，使有源区的衬底两边具有尖角。接着，于有源区的衬底的表面上覆盖栅介电层。然后，于栅介电层上形成栅极导体层。于栅极导体层两侧的衬底中形成源极区以及漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN102856378B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201110232531.X | 申请日期 | 2011.08.15 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 吴铁将;江昱德;丁裕伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种包角晶体管的制造方法，包括：在一衬底中形成一隔离结构，以定义出一有源区；进行一处理工艺，使该有源区的该衬底两边具有尖角；于该有源区的该衬底的表面覆盖一栅介电层；于该栅介电层上形成一栅极导体层；以及于该栅极导体层两侧的该衬底中形成一源极区以及一漏极区，其中该有源区的该栅极导体层的表面呈弧状，且该源极区以及该漏极区的表面高于该尖角，该尖角凸出于该隔离结构的表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||