发明名称 |
MEMS振幅测量方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MEMS振幅测量方法,该方法包括步骤:S1,获取一幅MEMS器件的运动模糊图像;S2,在模糊图像中选取感兴趣区;S3,对感兴趣区的模糊图像进行图像处理,具体是通过小波分解,对高频信号进行增强,低频信号进行减弱;S4,将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值;S5,获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线;S6,对S5获得的特征曲线计算其分形维数;S7,根据分形维数与振幅的拟合曲线,利用拟合公式计算出器件的振幅值。本发明可以获得亚像素级的MEMS器件振幅测量精度。 |
申请公布号 |
CN105241540A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510645186.0 |
申请日期 |
2015.10.08 |
申请人 |
重庆平伟实业股份有限公司 |
发明人 |
罗元;张毅;李述洲;王兴龙;胡钢 |
分类号 |
G01H9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01H9/00(2006.01)I |
代理机构 |
重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 |
代理人 |
郭云 |
主权项 |
一种MEMS振幅测量方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,获取一幅MEMS器件的运动模糊图像;S2,在模糊图像中选取感兴趣区;S3,对感兴趣区的模糊图像进行图像处理,具体是通过小波分解,对高频信号进行增强,低频信号进行减弱;S4,将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值;S5,获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线;S6,对S5获得的特征曲线计算其分形维数;S7,根据分形维数与振幅的拟合曲线,利用拟合公式计算出器件的振幅值。 |
地址 |
405200 重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区 |