发明名称 MEMS振幅测量方法
摘要 本发明公开了一种MEMS振幅测量方法,该方法包括步骤:S1,获取一幅MEMS器件的运动模糊图像;S2,在模糊图像中选取感兴趣区;S3,对感兴趣区的模糊图像进行图像处理,具体是通过小波分解,对高频信号进行增强,低频信号进行减弱;S4,将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值;S5,获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线;S6,对S5获得的特征曲线计算其分形维数;S7,根据分形维数与振幅的拟合曲线,利用拟合公式计算出器件的振幅值。本发明可以获得亚像素级的MEMS器件振幅测量精度。
申请公布号 CN105241540A 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201510645186.0 申请日期 2015.10.08
申请人 重庆平伟实业股份有限公司 发明人 罗元;张毅;李述洲;王兴龙;胡钢
分类号 G01H9/00(2006.01)I 主分类号 G01H9/00(2006.01)I
代理机构 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 代理人 郭云
主权项 一种MEMS振幅测量方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,获取一幅MEMS器件的运动模糊图像;S2,在模糊图像中选取感兴趣区;S3,对感兴趣区的模糊图像进行图像处理,具体是通过小波分解,对高频信号进行增强,低频信号进行减弱;S4,将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值;S5,获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线;S6,对S5获得的特征曲线计算其分形维数;S7,根据分形维数与振幅的拟合曲线,利用拟合公式计算出器件的振幅值。
地址 405200 重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区