| 发明名称 | 通过公共导电层将多个半导体器件层电耦合的方法和装置 | ||
| 摘要 | 实施例提供用于通过公共导电层将多个半导体器件层电耦合的方法和装置。一种组件包括第一层压电子部件和第二层压电子部件。第一层压电子部件包括第一电介质层、嵌入在第一电介质层中的至少一个第一半导体管芯和包括第一导电过孔的至少一个第一接触焊盘。第二层压电子部件包括第二电介质层、嵌入在第二电介质层中的至少一个第二半导体管芯和包括第二导电过孔的至少一个第二接触焊盘。第一导电过孔通过公共导电层被电耦合至第二导电过孔。 | ||
| 申请公布号 | CN105244336A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510388592.3 | 申请日期 | 2015.07.03 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | M·斯坦丁;A·罗伯茨 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种组件，包括：第一层压电子部件，包括第一电介质层、嵌入在所述第一电介质层中的至少一个第一半导体管芯和包括第一导电过孔的至少一个第一接触焊盘，以及第二层压电子部件，包括第二电介质层、嵌入在所述第二电介质层中的至少一个第二半导体管芯和包括第二导电过孔的至少一个第二接触焊盘，其中所述第一导电过孔通过公共导电层被电耦合至所述第二导电过孔。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||