发明名称 半導体装置及びその製造方法
摘要 <p>A semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a first insulating film on a surface of the semiconductor substrate; a temperature sensing diode on the first insulating film; a trench extending inward from the surface of the semiconductor substrate; and a trench electrode embedded in the trench via a second insulating film and connected to the temperature sensing diode.</p>
申请公布号 JP5842866(B2) 申请公布日期 2016.01.13
申请号 JP20130113124 申请日期 2013.05.29
申请人 三菱電機株式会社 发明人 藤井 秀紀
分类号 H01L27/04;G01K1/18;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/86 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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