发明名称 一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明属于材料科学领域,旨在提供一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明中温烧结低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为(1-x)Mg<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>–xLFV,其中:复合烧结助剂LFV为LiF-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>,x=2~5wt%,所述LiF-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>中是由原料LiF,Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>的质量含量比为4∶1∶2组成。本发明的有益效果是:加入复合烧结助剂LFV,在陶瓷烧结过程中助剂熔化,形成液相,同时Fe离子进入Mg<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>晶格,共同促进烧结传质过程,显著降低Mg<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>陶瓷材料的烧结温度,可在1025-1075℃下致密烧结。
申请公布号 CN104230328B 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201410409636.1 申请日期 2014.08.19
申请人 浙江大学 发明人 张启龙;周珏辉;刘进壮;杨辉
分类号 C04B35/457(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I 主分类号 C04B35/457(2006.01)I
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人 周世骏
主权项 一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料,其特征在于,所述中温烧结低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为(1‑x)Mg<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>–xLFV,其中:复合烧结助剂LFV为LiF‑Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>,x=2~5wt%,所述LiF‑Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>中是由原料LiF,Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>的质量含量比为4∶1∶2组成;所述中温烧结低介微波介质陶瓷材料的制备方法包括如下步骤:步骤(1):按摩尔比SnO<sub>2</sub>∶MgO=1∶2称取原料SnO<sub>2</sub>和MgO,进行球磨混料4h,然后放入氧化铝坩埚中以1200℃进行烧制,然后球磨制得Mg<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>粉末;步骤(2):按质量含量比为LiF∶Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>∶V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>=4∶1∶2称取原料LiF、Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>进行混合,得到复合烧结助剂LFV;步骤(3):按质量含量比Mg<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>∶LFV=(1‑x)∶x称取步骤(1)制得Mg<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>、步骤(2)中制得复合烧结助剂LFV,其中x=2~5wt%,球磨混合4h;步骤(4):将步骤(3)制得混合粉料中加入5%聚乙烯醇水溶液进行造粒,并在150MPa压强下进行压制,制备出直径18mm、厚度9mm的圆柱状坯体;步骤(5):将步骤(4)制得的坯体以2℃/min升温到550℃保温1h,然后以5℃/min升温到1025~1075℃保温烧结4h,即制得所述中温烧结低介微波介质陶瓷材料。
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