发明名称 一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法
摘要 本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法,其步骤包括:在氮化镓基材料表面淀积保护层;在所述保护层上涂敷光刻胶,并光刻待做刻蚀区域图形;去除待做刻蚀区域的保护层;去除剩余光刻胶;对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理;将氧化处理后的氮化镓材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀;将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。本发明方法基于湿法腐蚀工艺技术,可实现自停止特性,刻蚀区域平整度高、台阶边缘光滑,具有很高的可操作性和可重复性,更利于工业化生产。
申请公布号 CN103268857B 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201310175267.X 申请日期 2013.05.13
申请人 北京大学 发明人 徐哲;王金延;刘洋;蔡金宝;刘靖骞;王茂俊;谢冰;吴文刚
分类号 H01L21/308(2006.01)I 主分类号 H01L21/308(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 余长江
主权项 一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法,其步骤包括:1)在氮化镓基材料表面淀积保护层:2)在所述保护层上涂敷光刻胶,并光刻待做刻蚀区域图形;3)去除待做刻蚀区域的保护层;4)去除剩余光刻胶;5)对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理,使氮化镓基材料中GaN层之上的材料层被氧化而不影响GaN层;6)将氧化处理后的氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀;所述腐蚀性溶液为碱性溶液,能够腐蚀步骤5)形成的氧化物而不影响GaN层;7)将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。
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