发明名称 |
一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法,其步骤包括:在氮化镓基材料表面淀积保护层;在所述保护层上涂敷光刻胶,并光刻待做刻蚀区域图形;去除待做刻蚀区域的保护层;去除剩余光刻胶;对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理;将氧化处理后的氮化镓材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀;将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。本发明方法基于湿法腐蚀工艺技术,可实现自停止特性,刻蚀区域平整度高、台阶边缘光滑,具有很高的可操作性和可重复性,更利于工业化生产。 |
申请公布号 |
CN103268857B |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201310175267.X |
申请日期 |
2013.05.13 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
徐哲;王金延;刘洋;蔡金宝;刘靖骞;王茂俊;谢冰;吴文刚 |
分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余长江 |
主权项 |
一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法,其步骤包括:1)在氮化镓基材料表面淀积保护层:2)在所述保护层上涂敷光刻胶,并光刻待做刻蚀区域图形;3)去除待做刻蚀区域的保护层;4)去除剩余光刻胶;5)对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理,使氮化镓基材料中GaN层之上的材料层被氧化而不影响GaN层;6)将氧化处理后的氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀;所述腐蚀性溶液为碱性溶液,能够腐蚀步骤5)形成的氧化物而不影响GaN层;7)将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |