发明名称 |
基于MOS管的信号延迟电路 |
摘要 |
本发明公开了一种基于MOS管的信号延迟电路,包括电流源、P型MOS管PM1、N型MOS管NM1、N型MOS管NM2和正反馈电路,MOS管NM1、NM2和MOS管PM1的栅极共同与输入信号端连接,MOS管NM1的源极外接电流源,MOS管NM1的漏极通过电容C接地;MOS管PM1的源极外接电源电压,MOS管PM1的漏极MOS管NM1、NM2的漏极共同连接,为信号延迟电路的输出反向信号端;正反馈电路的输出端为信号延迟电路的输出信号端。本发明的基于MOS管的信号延迟电路,适用于输入信号对上升沿延迟时间长,对下降沿的延迟时间很短的情况,实现方便,性能好,效果佳,具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN103368536B |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201310313129.3 |
申请日期 |
2013.07.24 |
申请人 |
苏州加古尔微电子科技有限公司 |
发明人 |
刘俊杰;易金刚;董树荣;郭维;刘志伟 |
分类号 |
H03K5/13(2014.01)I |
主分类号 |
H03K5/13(2014.01)I |
代理机构 |
南京纵横知识产权代理有限公司 32224 |
代理人 |
董建林 |
主权项 |
一种基于MOS管的信号延迟电路,其特征在于:包括电流源、P型MOS管PM1、N型MOS管NM1、N型MOS管NM2和正反馈电路,所述N型MOS管NM1、NM2和P型MOS管PM1的栅极共同与输入信号端连接,所述N型MOS管NM1的源极外接电流源,所述N型MOS管NM1的漏极通过电容C接地;所述P型MOS管PM1的源极外接电源电压,所述P型MOS管PM1的漏极与N型MOS管NM1、NM2的漏极共同连接,并为信号延迟电路的输出反向信号端;所述输出反向信号端为正反馈电路的输入端,所述正反馈电路的输出端为信号延迟电路的输出信号端;所述正反馈电路包括P型MOS管PM2、N型MOS管NM3、N型MOS管NM4,所述P型MOS管PM2的栅极为正反馈电路的输入端,与所述P型MOS管PM1的漏极与N型MOS管NM1、NM2的漏极共同连接,所述P型MOS管PM2的源极外接电源电压,所述N型MOS管NM3的漏极与所述N型MOS管NM2的源极相连接;所述N型MOS管NM3的栅极、P型MOS管PM2的漏极与N型MOS管NM4的漏极共同连接,作为正反馈电路的输出端;所述N型MOS管NM4的源极通过电容C与所述P型MOS管PM1的漏极、N型MOS管NM1、NM2的漏极共同连接,作为正反馈电路的反馈与正反馈电路的输入端相连接。 |
地址 |
215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇苇城南路1699号10楼 |