| 发明名称 | 鳍式场效晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法。一FinFET包括具有一上表面的一基板和一绝缘物(insulation)形成于基板的上表面上。基板上具有至少一凹陷鳍部(recessed fin)自基板上表面向上延伸。绝缘物包括邻近凹陷鳍部的一外侧部(lateral portion)，和邻接外侧部的一部(central portion)，其中外侧部的一上表面高于部的一上表面。凹陷鳍部的一上表面低于部的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN105244380A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201410406287.8 | 申请日期 | 2014.08.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴彦良;童宇诚;李镇全;吕水烟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种鳍式场效晶体管(FinFET)，包括：基板，具有一上表面和至少一凹陷鳍部(recessed fin)自该上表面向上延伸；绝缘物(insulation)，形成于该基板的该上表面上，该绝缘物包括：外侧部(lateral portion)邻近该凹陷鳍部；和中央部(central portion)邻接该外侧部，且该外侧部的一上表面高于该中央部的一上表面；其中，该凹陷鳍部的一上表面低于该中央部的该上表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||