发明名称 一种LaBSiO<sub>5</sub>粉体的制备方法
摘要 本发明公开了一种LaBSiO<sub>5</sub>粉体的制备方法,包括以下步骤:以分析纯级别的La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>和SiO<sub>2</sub>(白色粉末)为原料,1~4%摩尔浓度的NaF作为助熔剂,在1000℃下经过二次烧结得到纯的LaBSiO<sub>5</sub>粉体。该方法引入NaF作为助溶剂,对LaBSiO<sub>5</sub>晶体的稳定生长机制的研究至关重要,纯相LaBSiO<sub>5</sub>粉体的合成所需烧结温度较现有的固相合成技术低,在空气气氛中常压状态下就可完成,不需要保护气氛,制备条件不苛刻且产物质量稳定,重复性强,适合于大规模生产。
申请公布号 CN105236438A 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201510591982.0 申请日期 2015.09.17
申请人 福州大学 发明人 李凌云;孙李珍;于岩;杨志锋;张晓斌
分类号 C01B35/08(2006.01)I 主分类号 C01B35/08(2006.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种LaBSiO<sub>5</sub>粉体的制备方法,其特征在于:具体步骤如下:(1)按摩尔比计La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>:SiO<sub>2</sub>:NaF=0.5:1~1.05:1:0.01~0.04,称取La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>、SiO<sub>2</sub>和NaF固体粉末;(2)研磨,混合均匀,压成块状;(3)一次烧结:以3~10℃/min.的升温速率从室温升至1000℃,保温3~7小时,随炉冷却至室温,研磨,压成块状;(4)二次烧结:以3~10℃/min.的升温速率从室温升至1000℃,保温3~7小时,随炉冷却至室温,研磨,得到LaBSiO<sub>5</sub>粉体。
地址 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区