| 发明名称 | 一种半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。一种半导体器件的制备方法，该制备方法具体包括：提供一半导体基体，于半导体基体上沉积一掩膜层；刻蚀半导体基体以形成浅凹陷，并在浅凹陷内生长外延层至半导体基体上表面；在外延层上依次形成栅介质层、栅极、侧墙及掩膜层；刻蚀侧墙两侧的外延层与半导体基体形成深凹陷；在深凹陷内生长外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN105244281A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510662547.2 | 申请日期 | 2015.10.14 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 黄秋铭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括：提供一半导体基体，于所述半导体基体上沉积一掩膜层；刻蚀所述半导体基体以形成浅凹陷，并在所述浅凹陷内生长外延层至所述半导体基体上表面；在所述外延层上依次形成栅介质层、栅极、侧墙及掩膜层；刻蚀所述侧墙两侧的所述外延层与所述半导体基体形成深凹陷；在所述深凹陷内生长所述外延层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||